| 薄膜厚度对ZnO：Zr透明导电薄膜光电性能的影响 |
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| 引用本文： | 刘汉法,张化福,类成新,袁长坤.薄膜厚度对ZnO：Zr透明导电薄膜光电性能的影响[J].液晶与显示,2008,23(6). |
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| 作者姓名： | 刘汉法 张化福 类成新 袁长坤 |
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| 作者单位： | 山东理工大学,物理与光电信息技术学院,山东,淄博,255049 |
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| 基金项目： | 山东理工大学创新团队支持计划
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| 摘 要： | 利用射频磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的ZnO:Zr透明导电薄膜.讨论了厚度对ZnO:Zr透明导电薄膜光学、电学性能的影响.当薄膜厚度为213 nm时,薄膜电阻率达到最小值1.81×10-3 Ω·cm.所制备的薄膜样品都具有高透光率,其可见光区平均透过率超过了93.0%.当薄膜厚度从125 nm增加到350 nm时,薄膜的光学带隙从3.58 eV减小到3.50 eV.
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| 关 键 词： | 透明导电薄膜 磁控溅射 薄膜厚度 光电性能 |
Thickness Dependence of Optoelectric Properties of |
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| LIU Han-fa,ZHANG Hua-fu,LEI Cheng-xin,YUAN Chang-kun.Thickness Dependence of Optoelectric Properties of[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2008,23(6). |
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| Authors: | LIU Han-fa ZHANG Hua-fu LEI Cheng-xin YUAN Chang-kun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO Zr |
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