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| 驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作 | |
| 引用本文： | 刘金娥,廖燕平,齐小薇,高文涛,荆海,付国柱,李世伟,邵喜斌.驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作[J].液晶与显示,2006,21(6):660-667. |
| 作者姓名： | 刘金娥 廖燕平 齐小薇 高文涛 荆海 付国柱 李世伟 邵喜斌 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130033;中国科学院,研究生院,北京,100039 2. 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130033 3. 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130033; 4. 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130033;吉林北方彩晶数码电子有限公司,吉林,长春,130033 5. 吉林北方彩晶数码电子有限公司,吉林,长春,130033 |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
| 摘 要： | a-Si：H／SiNx：H TFT在长时间栅偏应力作用下，会产生阈值电压漂移，这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象，文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同，利用PECVD制作了不同N／Si比（0．87～1．68）的氮化硅绝缘材料，对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱（EDS）测试。制作了不同的MIS结构电容，对其进行老化实验和C-V测试分析，结果表明稍富氮（N／Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1．33）的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显，表明其缺陷态密度相对较小，能够有效减小半导体／绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si：H TFT像素电路及其阵列版图，优化了电路中的几个关键参数，即T1的W／L=2．5、T2的W／L=25和存储电容Cs=0．8pF。运用7PEP生产工艺，制作了13cm（5．2in）的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试，其开态电流为10μA，开关比为10^6；对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试，其最高亮度为341cd／m^2。 |
| 关 键 词： | 阈值电压漂移 |
| 文章编号： | 1007-2780(2006)06-0660-08 |
| 修稿时间： | 2006年9月11日 |
Design and Facture of 2-a-Si:H TFT Driving AM-OLED |
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| LIU Jin-e,LIAO Yan-ping,GAO Wen-tao,JING Hai,FU Guo-zhu,QI Xiao-wei,LI Shi-wei,SHAO Xi-bin.Design and Facture of 2-a-Si:H TFT Driving AM-OLED[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2006,21(6):660-667. | |
| Authors: | LIU Jin-e LIAO Yan-ping GAO Wen-tao JING Hai FU Guo-zhu QI Xiao-wei LI Shi-wei SHAO Xi-bin |
| Abstract: | |
| Keywords: | OLED N/Si C-V 2-a-Si:HTFT |
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