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掺Al对ZnO薄膜结构和光电性能的影响
引用本文:徐自强,邓宏,谢娟,李燕.掺Al对ZnO薄膜结构和光电性能的影响[J].液晶与显示,2005,20(6):503-507.
作者姓名:徐自强  邓宏  谢娟  李燕
作者单位:电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054
基金项目:国家“973”基金资助项目(No.51310Z09-4),国家自然科学基金重大项目(No.60390073)
摘    要:采用溶胶-凝胶工艺在普通玻璃片上制备了ZnO∶Al薄膜。通过XRD、UV透射谱和电学测试等分析方法研究了掺Al对薄膜的组织结构和光电性能的影响。分析表明:所制备的薄膜具有c轴择优取向,随着掺Al浓度的增加,(002)峰向低角度移动,峰强逐渐减弱。薄膜电阻率随掺Al浓度变化,当掺Al浓度为1.5%(摩尔分数),薄膜电阻率降至6.2×10-4Ω·cm。掺Al量的增加同时使得薄膜的禁带宽度变大,光吸收边出现蓝移现象。

关 键 词:ZnO薄膜  溶胶-凝胶法  Al掺杂  光学特性  电学特性
文章编号:1007-2780(2005)06-0503-05
修稿时间:2005年4月13日

Al-doping Effects on Structure, Optical and Electrical Properties of c-axis Orientated ZnO∶Al Thin Films
XU Zi-qiang,DENG Hong,XIE Juan,LI Yan.Al-doping Effects on Structure, Optical and Electrical Properties of c-axis Orientated ZnO∶Al Thin Films[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2005,20(6):503-507.
Authors:XU Zi-qiang  DENG Hong  XIE Juan  LI Yan
Abstract:
Keywords:ZnO  sol-gel  Al-doped thin films  optical properties  electrical properties
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