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PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究
引用本文:邱春文,石旺舟,黄羽中. PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究[J]. 液晶与显示, 2003, 18(3): 201-204
作者姓名:邱春文  石旺舟  黄羽中
作者单位:汕头大学,物理系,广东,汕头,515063
基金项目:广东省科委资助项目(130 122084)
摘    要:在玻璃衬底上采用常规的PKCVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗较(直径>100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜。选用的反应气体为SiF4和H2混合气体。加入少量的SiH4后,沉积速率提高了近10倍。分析认为,在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFmHn(m n≤3),而不可能是SiHn(n≤3)基团。

关 键 词:PECVD法 多晶硅薄膜 低温沉积 太阳能电池 等离子体增强化学气相沉积法
文章编号:1007-2780(2003)03-0201-04
修稿时间:2002-10-31

Preparation of Polycrystalline Silicon Thin Films at Low Temperature by PEVCD
Abstract:
Keywords:plasma enhanced chemical vapor deposition  polycrystalline silicon thin films  low-temperature growth
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