| OTS修饰的不同厚度酞菁铜OTFT的研究 |
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| 引用本文： | 刘向,刘惠,薛钰芝.OTS修饰的不同厚度酞菁铜OTFT的研究[J].液晶与显示,2009,24(1). |
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| 作者姓名： | 刘向 刘惠 薛钰芝 |
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| 作者单位： | 1. 大连交通大学,材料学院,辽宁,大连,116028
2. 大连理工大学,电信学院,辽宁,大连,116024 |
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| 基金项目： | 大连交通大学博士启动基金 |
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| 摘 要： | 用十八烷基三氯硅烷(OTS)修饰了不同厚度的酞菁铜(CuPc)有机薄膜晶体管器件, 对比酞菁铜厚度为15、40、80 nm的3种器件性能后,得到40 nm的酞菁铜器件具有最高载流子迁移率.分析了OTS修饰的绝缘层表面对器件性能的影响,得到的40 nm厚度酞菁铜器件载流子迁移率为4.3×10-3cm2/V*s, 阈值电压为-9.5 V.
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| 关 键 词： | 酞菁铜 半导体厚度 载流子迁移率 |
Organic Thin Film Transistors Modified by OTS with Different Thicknesses of CuPc |
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| LIU Xiang,LIU Hui,XUE Yu-zhi.Organic Thin Film Transistors Modified by OTS with Different Thicknesses of CuPc[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2009,24(1). |
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| Authors: | LIU Xiang LIU Hui XUE Yu-zhi |
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