| 低阻高透过率ITO薄膜的制备与性能 |
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| 引用本文： | 王刚,刘宏宇,赵超,杨柏梁,黄锡珉.低阻高透过率ITO薄膜的制备与性能[J].液晶与显示,1999,14(1):23-28. |
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| 作者姓名： | 王刚 刘宏宇 赵超 杨柏梁 黄锡珉 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院长春物理研究所,长春,130021;北方液晶工程研究开发中心,长春,130021
2. 吉林大学电子工程系,长春,130021 |
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| 基金项目： | 中国科学院“九五”重大项目,吉林省科委“九五”科技攻关项目 |
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| 摘 要： | 研究了直流磁控溅射法制备的ＩＴＯ薄膜的光电特性与溅射工艺参数的关系以及退火处理对ＩＴＯ薄膜光电特性的影响。在低衬底温度、低溅射功率下获得了优质的ＩＴＯ薄膜，可见光透过率高于８５％，在厚度为１００ｎｍ时其方块电阻在１５０～２００Ω／□之间，并且ＩＴＯ薄膜的制备工艺完全与ＡＭＬＣＤ中ＴＦＴ器件的制作工艺兼容。
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| 关 键 词： | 直流磁控溅射 衬底温度 溅射功率 方块电阻 透过率 真空退火 |
Preparation and Characterization of Low Resistance and High Transmittance ITO Films |
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| Wang Gang,Liu Hongyu,Zhao Chao,Yang Bailiang,Huang Ximin.Preparation and Characterization of Low Resistance and High Transmittance ITO Films[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,1999,14(1):23-28. |
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| Authors: | Wang Gang Liu Hongyu Zhao Chao Yang Bailiang Huang Ximin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | D C magnetron sputtering substrate temperature sputtering power sheet resistance transmittance vacuum annealing |
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