| 射频磁控溅射法制备SnO2:Sb透明导电薄膜的光电性能研究 |
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| 引用本文： | 陈甲林,赵青南,张君.射频磁控溅射法制备SnO2:Sb透明导电薄膜的光电性能研究[J].液晶与显示,2005,20(5):406-411. |
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| 作者姓名： | 陈甲林 赵青南 张君 |
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| 作者单位： | 武汉理工大学,材料科学与工程学院,硅酸盐材料工程教育部重点实验室,湖北,武汉,430070 |
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| 基金项目： | 横向开发资助项目(No.204-649491) |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射法在载波片玻璃衬底上制备了锑掺杂二氧化锡(SnO2Sb)透明导电薄膜.利用霍耳效应实验、紫外可见光光谱仪、n(折射率)k(消光系数)d(薄膜厚度)光谱仪对该导电薄膜的光电性能进行了测试.讨论了氧气分压对样品光电性能的影响,增加氧气分压,薄膜的厚度减小、吸收边和截止波长蓝移,光学带隙增大,并且氧气分压对薄膜电阻率、载流子浓度和霍耳迁移率的影响不是线性的,而是存在一个最佳值.当氧气分压为0.10 Pa时,薄膜的光电性能最佳,此时膜厚为399 nm,可见光平均透过率为70 %,电阻率为2.5×10-3 Ω·cm,载流子浓度为1.2×1021 cm-3,载流子霍耳迁移率为2.04 cm2·V-1·s-1,其光电特性已达到了TFT-LCD透明电极的要求.
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| 关 键 词： | 射频磁控溅射 透明导电薄膜 光电性能 氧气分压 |
| 文章编号： | 1007-2780(2005)05-0406-06 |
| 修稿时间： | 2005年1月6日 |
Optical and Electronic Properties of SnO2:Sb Transparent Conductive Thin Film Deposited by R.F. Magnetron Reactive Sputtering |
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| CHEN Jia-lin,ZHAO Qing-nan,ZHANG Jun.Optical and Electronic Properties of SnO2:Sb Transparent Conductive Thin Film Deposited by R.F. Magnetron Reactive Sputtering[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2005,20(5):406-411. |
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| Authors: | CHEN Jia-lin ZHAO Qing-nan ZHANG Jun |
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