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透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展
引用本文:王中健,王龙彦,马仙梅,付国柱,荆海.透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展[J].液晶与显示,2009,24(2).
作者姓名:王中健  王龙彦  马仙梅  付国柱  荆海
作者单位:1. 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130031;中国科学院,研究生院,北京,100039
2. 中国科学院,长春光学精密机械与物理研究所,北方液晶工程研究开发中心,吉林,长春,130031
基金项目:国家自然科学基金,长春市高技术成果产业化计划项目 
摘    要:透明非晶态氧化物半导体薄膜晶体管(TAOS-TFT)以其诸多优势受到研究人员的青睐,最近几年发展迅速.文章以传统薄膜晶体管做对照,详细介绍了TAOS-TFT的原理、结构和性能,总结出TAOS-TFT相对于Si基TFT具有制备温度低、均一性好、迁移率高、对可见光全透明和阈值电压低等5方面的优势,指出了TAOS-TFT在进一步实用化过程中所面临的几个重要问题,其中最为重要的是需要尽快建立自身的集约化物理模型.

关 键 词:透明非晶态氧化物半导体  薄膜晶体管  有源矩阵有机发光二极管  有源矩阵电泳显示器  集约化模型

Research and Progress in Transparent Amorphous Oxide Semiconductor Thin Film Transistors
WANG Zhong-jian,WANG Long-yan,MA Xian-mei,FU Guo-zhu,JING Hai.Research and Progress in Transparent Amorphous Oxide Semiconductor Thin Film Transistors[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2009,24(2).
Authors:WANG Zhong-jian  WANG Long-yan  MA Xian-mei  FU Guo-zhu  JING Hai
Abstract:
Keywords:
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