| 退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响 |
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| 引用本文： | 王颖,申德振,张吉英,刘益春,张振中,吕有明,范希武.退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响[J].液晶与显示,2005,20(1):18-21. |
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| 作者姓名： | 王颖 申德振 张吉英 刘益春 张振中 吕有明 范希武 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,吉林长春,130033
2. 东北师范大学先进光电子功能材料研究中心,吉林长春,130024 |
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| 基金项目： | 国家自然科学重点基金资助项目(No.60336020)，“863”高技术资助项目(No. 2001AA31112)，中科院创新工程资助项目，国家自然科学基金资助项目(No.60278031,60176003,60376009) |
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| 摘 要： | 采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD)，在低衬底温度下制备了富硅氮化硅薄膜。利用红外吸收谱(IR)、XPS光电子能谱和光致发光谱(PL)，研究了不同的退火温度对薄膜结构和发光的影响。研究发现，薄膜经退火后，在发光谱中出现一强的发光峰。当经过900℃退火后，随着与硅悬键有关的发光峰的消失．该强的主发光峰发生了明显的蓝移，并且有所宽化。蓝移现象源于高温退火后，在薄膜中有小尺寸的Si团簇形成。通过实验结果分析，提出薄膜的发光起因于包埋在氮化硅中的Si团簇。
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| 关 键 词： | PECVD 光致发光 Si团簇 悬键 |
| 文章编号： | 1007-2780(2005)01-0018-04 |
| 修稿时间： | 2004年9月15日 |
Influence of Thermal Annealing on the Structural and Optical Properties of Si-rich Silicon Nitride Films |
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| WANG Ying,SHEN De-zhen,ZHANG Ji-ying,LIU Yi-chun,ZHANG Zhen-zhong,LU You-ming,FAN Xi-wu.Influence of Thermal Annealing on the Structural and Optical Properties of Si-rich Silicon Nitride Films[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2005,20(1):18-21. |
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| Authors: | WANG Ying SHEN De-zhen ZHANG Ji-ying LIU Yi-chun ZHANG Zhen-zhong LU You-ming FAN Xi-wu |
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| Affiliation: | WANG Ying~1,SHEN De-zhen~1,ZHANG Ji-ying~1,LIU Yi-chun~2,ZHANG Zhen-zhong~1,LU You-ming~1,FAN Xi-wu~1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PECVD photoluminescence Si clusters dangling bonds |
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