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| 硫化锌/多孔硅体系和氧化锌/多孔硅体系的光学和电学特性比较 | |
| 引用本文： | 王彩凤,李清山,胡波.硫化锌/多孔硅体系和氧化锌/多孔硅体系的光学和电学特性比较[J].液晶与显示,2009,24(1). |
| 作者姓名： | 王彩凤 李清山 胡波 |
| 作者单位： | 1. 滨州学院,物理与电子科学系,山东,滨州,256603 2. 鲁东大学,物理系,山东,烟台,264025 3. 滨州学院,飞行学院,山东,滨州,256603 |
| 摘 要： | 用脉冲激光沉积法在相同孔隙率的多孔硅(Porous Silicon, PS)衬底上生长了ZnS薄膜和ZnO薄膜,在室温下对ZnS/PS和ZnO/PS的光学和电学性质进行了比较.结果发现,ZnS/PS和ZnO/PS在可见光区450～700 nm都有一个较宽的光致发光谱带,呈现较强的白光发射,但ZnS/PS体系的白光发射性能要优于ZnO/PS体系的发光性能.从二者的I-V特性曲线来看,ZnS/PS异质结呈现出与普通二极管相似的整流特性,而ZnO/PS异质结的整流特性与普通二极管不同,其反向电流不饱和. |
| 关 键 词： | 白光发射 光致发光 I-V特性曲线 硫化锌 氧化锌 多孔硅 |
Comparison of Optical and Electrical Properties of ZnS/Porous Silicon and ZnO/Porous Silicon Systems |
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| WANG Cai-feng,LI Qing-shan,HU Bo.Comparison of Optical and Electrical Properties of ZnS/Porous Silicon and ZnO/Porous Silicon Systems[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2009,24(1). | |
| Authors: | WANG Cai-feng LI Qing-shan HU Bo |
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| Keywords: | |
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