| 锡掺杂对ITO膜方阻和结构的影响 |
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| 引用本文： | 马颖,吕庆莉,张方辉,袁桃利,张麦丽.锡掺杂对ITO膜方阻和结构的影响[J].液晶与显示,2006,21(5):460-464. |
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| 作者姓名： | 马颖 吕庆莉 张方辉 袁桃利 张麦丽 |
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| 作者单位： | 1. 陕西科技大学,电气与电子工程学院,陕西,咸阳,712081
2. 陕西科技大学,计算机与信息工程学院,陕西,咸阳,712081 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(No.50372038)，陕西科技大学基金资助项目(No.ZX04-34) |
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| 摘 要： | 以铟、锡氯化物为前驱物,采用溶胶-凝胶法在玻璃基体上制备不同锡掺杂的ITO膜,在热处理温度为450℃条件下制备不同锡掺杂(质量分数11%~33%)的ITO膜,研究锡掺杂对ITO膜方阻和结构特性的影响。用四探针法测量ITO膜的方阻并对样品进行X射线衍射分析,结果表明:锡掺杂量在20%时ITO膜的方阻最小,不同锡掺杂的ITO膜均为立方铁锰矿结构,锡掺杂会影响ITO膜晶粒尺寸、晶格常数和晶面取向等结构特性,ITO膜的晶粒较大、晶格畸变小、择优取向小时薄膜方阻较小。
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| 关 键 词： | ITO膜 溶胶-凝胶法 Sn掺杂 X射线衍射分析 |
| 文章编号： | 1007-2780(2006)05-0460-05 |
| 修稿时间： | 2006年3月31日 |
Effect of Sn Doping Content on Sheet Resistance and Structural Properties of ITO Films |
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| MA Ying,LU Qing-li,ZHANG Fang-hui,YUAN Tao-li,ZHANG Mai-li.Effect of Sn Doping Content on Sheet Resistance and Structural Properties of ITO Films[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2006,21(5):460-464. |
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| Authors: | MA Ying LU Qing-li ZHANG Fang-hui YUAN Tao-li ZHANG Mai-li |
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| Keywords: | ITO films sol-gel Sn-doped XRD |
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