| 热丝对微波ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜氢含量的影响 |
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| 引用本文： | 李瀛,陈光华,朱秀红,胡跃辉,宋雪梅.热丝对微波ECR CVD方法制备的a-Si:H薄膜氢含量的影响[J].液晶与显示,2005,20(3):225-228. |
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| 作者姓名： | 李瀛 陈光华 朱秀红 胡跃辉 宋雪梅 |
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| 作者单位： | 北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划“973”资助项目(No.G20000282011) |
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| 摘 要： | 采用微波ECRCVD系统制备了a-Si：H薄膜，对比有无热丝辅助情况下薄膜的生长情况，并通过红外光谱测试进行氢含量分析。a-Si：H薄膜中氢的引入对薄膜的光学、电学性能有着极大的影响，它可以钝化非晶硅薄膜中大量存在的悬挂键，降低薄膜的缺陷密度，从而显著提高薄膜稳定性。通过对沉积速率的研究发现，在有热丝辅助的情况下沉积速率明显提高，可达3nm／s。实验证明，高温的热丝提高了工作气体的分解率，从而提高了薄膜的沉积速率。此外，在有热丝辅助的条件下制备出薄膜样品比没有热丝辅助条件下制备出的薄膜样品的氢含量低而且稳定性有了较大的改进。
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| 关 键 词： | 氢化非晶硅 微波ECR CVD沉积速率 氢含量 |
| 文章编号： | 1007-2780(2005)03-0225-04 |
| 修稿时间： | 2004年11月8日 |
Effect of Hot Wire on the Hydrogen Content of a-Si:H Films Prepared by Microwave ECR CVD Technique |
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| LI Ying,CHEN Guang-hua,ZHU Xiu-hong,HU Yue-hui,SONG Xue-mei.Effect of Hot Wire on the Hydrogen Content of a-Si:H Films Prepared by Microwave ECR CVD Technique[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2005,20(3):225-228. |
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| Authors: | LI Ying CHEN Guang-hua ZHU Xiu-hong HU Yue-hui SONG Xue-mei |
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