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| 铟锡氧化程度对ITO薄膜光电特性的影响 | |
| 引用本文： | 江锡顺,曹春斌,宋学萍,孙兆奇.铟锡氧化程度对ITO薄膜光电特性的影响[J].液晶与显示,2007,22(4):398-401. |
| 作者姓名： | 江锡顺 曹春斌 宋学萍 孙兆奇 |
| 作者单位： | 1. 滁州学院,电子信息工程系,安徽,滁州,239012 2. 安徽农业大学,理学院,安徽,合肥,230036 3. 安徽大学,物理与材料科学学院,安徽,合肥,230039 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;安徽省自然科学基金;安徽省人才基金;安徽大学校科研和教改项目;滁州学院科研项目 |
| 摘 要： | 采用直流磁控溅射法在普通载玻片上制备了氧化铟锡透明导电薄膜(ITO)。制备出的薄膜在大气环境下退火,退火温度分别为100℃、200℃和300℃,保温时间为1h。对薄膜中铟锡原子的氧化程度及其光电特性进行了测试与分析。结果表明:退火温度的升高,有助于提高ITO薄膜中Sn原子氧化程度,从而提高了薄膜在可见光范围内的透射率;退火温度为200℃时,In原子氧化程度较高,薄膜中氧空位数量最多,电阻率最低为6.2×10-3Ω.cm。 |
| 关 键 词： | ITO薄膜 磁控溅射 氧化程度 光电特性 |
| 文章编号： | 1007-2780（2007）04-0398-04 |
| 收稿时间： | 2007-04-06 |
| 修稿时间： | 2007-05-05 |
Effect of Indium and Tin Oxidation on Photoelectric Behavior of ITO Films |
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| JIANG Xi-shun,CAO Chun-bin,SONG Xue-ping,SUN Zhao-qi.Effect of Indium and Tin Oxidation on Photoelectric Behavior of ITO Films[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2007,22(4):398-401. | |
| Authors: | JIANG Xi-shun CAO Chun-bin SONG Xue-ping SUN Zhao-qi |
| Abstract: | |
| Keywords: | ITO films magnetron sputtering oxidation photoelectric properties |
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