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ITO透明导电薄膜的制备及光电特性研究
引用本文:马颖,张方辉,靳宝安,牟强,袁桃利.ITO透明导电薄膜的制备及光电特性研究[J].液晶与显示,2004,19(5):376-379.
作者姓名:马颖  张方辉  靳宝安  牟强  袁桃利
作者单位:陕西科技大学,电气与电子工程学院,陕西,咸阳,712081
基金项目:陕西省教育厅基金资助项目(No.03JK161)
摘    要:以氯化铟和氯化锡为前驱物,采用溶胶 凝胶法在玻璃基片上制备了ITO薄膜。研究了掺锡浓度、热处理温度和热处理时间等工艺条件对ITO薄膜光电特性的影响。制备的ITO薄膜的方阻为300Ω/□,可见光平均透过率为80%,电阻率为4×10-3Ω·cm,其光电特性已达到了TN LCD透明电极的要求。

关 键 词:ITO薄膜  溶胶-凝胶法  透光率  液晶显示器  热处理  光电特性
文章编号:1007-2780(2004)05-0376-04
修稿时间:2004年4月28日

Tin-doped In2O3 Thin Films Prepared by Sol-gel Method
MA Ying,ZHANG Fang-hui,JIN Bao-an,MU Qiang,YUAN Tao-li.Tin-doped In2O3 Thin Films Prepared by Sol-gel Method[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2004,19(5):376-379.
Authors:MA Ying  ZHANG Fang-hui  JIN Bao-an  MU Qiang  YUAN Tao-li
Abstract:
Keywords:ITO thin films  sol-gel  sheet resistance  transmittance  LCD
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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