| 掺杂及工艺条件对室温制备ZnO∶Al性能的影响 |
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| 引用本文： | 任明放,王华,许积文,杨玲.掺杂及工艺条件对室温制备ZnO∶Al性能的影响[J].液晶与显示,2009,24(1). |
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| 作者姓名： | 任明放 王华 许积文 杨玲 |
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| 作者单位： | 1. 桂林电子科技大学,信息材料科学与工程系,广西,桂林,541004
2. 桂林电子科技大学,信息材料科学与工程系,广西,桂林,541004;桂林电子科技大学,广西信息材料重点实验室,广西,桂林,541004 |
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| 基金项目： | 广西高校百名中青年学科带头人资助计划 |
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| 摘 要： | 采用直流磁控溅射工艺,在室温条件下制备了ZnO∶Al(ZAO)薄膜,研究了Al掺杂量和溅射工艺参数等对ZAO薄膜光电性能的影响.结果表明:Al掺杂量和溅射工艺参数均对薄膜的电阻率有显著影响,在Al掺杂质量分数为3%、溅射功率为100 W以及Ar压强为1.5 Pa的条件下,室温溅射淀积的ZAO薄膜可获得1.4×10-3 Ω*cm的最小电阻率;Al掺杂量和工艺参数对薄膜的透光率均无明显的影响,薄膜的平均透光率在86～90%,但随Al掺杂量和溅射功率的增加,薄膜的截止吸收边均向短波长方向移动.对薄膜优值因子的分析表明,适合采用的Ar压强值在0.6～2.0 Pa.
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| 关 键 词： | 氧化锌铝 透明导电薄膜 光电性能 磁控溅射 |
Influence of Doping Content and Sputtering Parameter on Resistivity and Transmittancce of ZnO∶Al Thin Films Prepared by DC Magnetron Sputtering at Room Temperature |
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| REN Ming-fang,WANG Hua,XU Ji-wen,YANG Ling.Influence of Doping Content and Sputtering Parameter on Resistivity and Transmittancce of ZnO∶Al Thin Films Prepared by DC Magnetron Sputtering at Room Temperature[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2009,24(1). |
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| Authors: | REN Ming-fang WANG Hua XU Ji-wen YANG Ling |
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