锗硅非对称耦合量子阱相位调制器特性的研究

为了研究和论证锗硅材料体系在器件的工艺制备和理论性能上的优势，拓展锗硅量子阱结构的应用范围，采用数值仿真结合实际器件制备的方法，进行了理论分析和实验验证，设计了一种基于Ge/SiGe非对称耦合量子阱材料的光学相位调制器，并在实验测试中验证了该理论的正确性。结果表明，当电场超过40 kV/cm时，该材料在1450 nm波长处可以达到最高0.01的电致折射率变化；经测试发现，实际制备的器件在1.5 V的反向偏置电压下，实现了1530 nm波长处2.4×10^-3的电致折射率变化，对应的V_πL_π=0.048 V·cm,在同类型锗硅光调制器中达到了先进水平。该研究为硅基集成光调制器的进一步发展开辟了新的方向。