| 标准Ge-on-SOI工艺全差分光电探测器(本期优秀论文) |
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| 引用本文： | 康玉琢,毛陆虹,张世林,谢生.标准Ge-on-SOI工艺全差分光电探测器(本期优秀论文)[J].光通信技术,2013,37(8). |
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| 作者姓名： | 康玉琢 毛陆虹 张世林 谢生 |
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| 作者单位： | 天津大学,天津,300072 |
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| 摘 要： | 基于IME标准Ge-on-SOI工艺提出了一种全差分光电探测器结构,由定向耦合偏振分束器与锗垂直PIN光电探测器组成,可将一路由单模光纤输入的高速1550nm光信号转换为一对高速差分电信号.分析并设计了具体结构,进行了器件模拟,模拟得到定向耦合偏振分束器TE波与TM波的消光比分别为-16.7dB与-15.7dB,锗垂直PIN光电的响应度与带宽分别为0.42A/W与6.51GHz.
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| 关 键 词： | 定向耦合器 偏振分束器 锗光电探测器 全差分 光束传播法 Ge-on-SOI |
Fully differential photodetector based on standard Ge-on-SOI process |
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| KANG Yu-zhuo
,
MAO Lu-hong
,
ZHANG Shi-lin
,
XIE Sheng.Fully differential photodetector based on standard Ge-on-SOI process[J].Optical Communication Technology,2013,37(8). |
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| Authors: | KANG Yu-zhuo MAO Lu-hong ZHANG Shi-lin XIE Sheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | direction coupler polarization splitter Germanium photodetector fully differential BPM |
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