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| 半导体技术 | |
| 摘 要： | TN301 2003010668开管扩神改善器件电参数性能的机理分析/孙瑛(山东师范大学)11半导体学报一2 002,23(7)一746一751叙述了5102/Si系开管扩嫁工艺和稼掺杂原理研究了稼掺杂与器件电参数的关系,并分析了改善器件性能的机理.实验证明,采用51 02/Si系开管扩稼工艺,扩稼硅片表面状况、均匀性和重复性良好,稼杂质浓度分布理想,并能明显改善器件电参数性能,提高电参数一致性,增加成品率等,优于闭管扩嫁、裸Si系开管扩稼和硼扩散.图4参5‘木)显减弱.测试温度的变化对Si纳米量子点光致发光特性的影响,则源自于光生载流子通过5102/Si纳米量子点界面… |
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