| 快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的修饰 |
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| 引用本文： | 李宁,刘兴权,李娜,陈效双,陆卫,徐文兰,袁先璋,沈学础,黄绮,周均铭.快速热退火对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的修饰[J].半导体学报,2000,21(3). |
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| 作者姓名： | 李宁 刘兴权 李娜 陈效双 陆卫 徐文兰 袁先璋 沈学础 黄绮 周均铭 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海 200083
2. 中国科学院物理研究所北京 100080 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，中国-澳大利亚合作项目 |
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| 摘 要： | 应用快速热退火的方法将GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器的峰值响应波长从7.7μm移动到8～14μm大气窗口内.通过测量单元器件的光电流谱、响应率和I-V特性，分析了快速热退火对GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器性能的影响.
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| 关 键 词： | 量子阱 红外探测器 快速退火 光电流谱 |
Modification of GaAs/A1GaAs Quantum Well Infrared Photodetectors by Rapid Thermal Annealing |
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