| 掺Ge ZnSe的稳恒光电导及其局域性效应 |
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| 引用本文： | 张雷,胡古今,戴宁,陈良尧.掺Ge ZnSe的稳恒光电导及其局域性效应[J].半导体学报,2000,21(6). |
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| 作者姓名： | 张雷 胡古今 戴宁 陈良尧 |
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| 作者单位： | 复旦大学物理系半,导体物理实验室,上海,200433 |
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| 摘 要： | 在一定的温度以下,某些半导体材料的光电导效应在激发光源撤去以后会持久地保持下去,当温度升高超过这个温度(称为淬变温度)以后,这种持续的光电导现象会消除,称为稳恒光电导现象.而且这种光电导效应具有很强的局域性.采用电学测量方法,通过测量激光照射前后电导率随温度的变化研究了掺Ge的ZnSe的稳恒光电导效应,结果发现淬变温度高达210K的稳恒光电导效应.并通过研究光电阻随光照位置变化的趋势研究了这种光电导的局域性特性,结果发现在淬变温度以上局域性随稳恒光电导消失而消失.
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| 关 键 词： | 稳恒光电导 ZnSe 掺Ge 局域性效应 |
PPC Effect and Localization in Ge-doped ZnSe Epilayer |
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| ZHANG Lei,HU Gu-jin,DAI Ning,CHEN Liang-yao.PPC Effect and Localization in Ge-doped ZnSe Epilayer[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(6). |
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| Authors: | ZHANG Lei HU Gu-jin DAI Ning CHEN Liang-yao |
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