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| MOCVD与MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的红外探测器特性比较* | |
| 引用本文： | 李娜,李宁,陆卫,窦红飞,陈张海,刘兴权,沈学础,H.H.Tan,Lan Fu,C.Jagadish,M.B.Johnston,M.Gal.MOCVD与MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的红外探测器特性比较*[J].半导体学报,2000,21(5). |
| 作者姓名： | 李娜 李宁 陆卫 窦红飞 陈张海 刘兴权 沈学础 H.H.Tan Lan Fu C.Jagadish M.B.Johnston M.Gal |
| 作者单位： | 1. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室上海 200083 中国 2. Department of Electronic Materials Engineering, The Research School of Physical Sciences and Engineering,The Australian National University, Canberra ACT 0200,Australia 3. School of Physics, The University of New South Wales, Sydney NSW 2052, Australia |
| 摘 要： | 用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长GaAs/AlGaAs量子阱材料,并制成红外探测器.测量了材料的光致发光光谱和探测器的光电流响应光谱及其它光电特性,峰值波长7.9μm,响应率达到6×103V/W,与分子束外延法(MBE)生长的材料和相关器件进行了比较,MOCVD法可满足量子阱材料和器件的要求. |
| 关 键 词： | GaAs/AlGaAs 量子阱红外探测器 MOCVD MBEPACC:0762 6865 6855 8115G |
Performance Comparison of GaAs/AlGaAs Quantum Well Infrared Photodetectors Grown by MOCVD and MBE |
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