| 截止频率为120GHz的晶格匹配InP基HEMT |
| |
| 引用本文： | 陈立强,张海英,尹军舰,钱鹤,牛洁斌.截止频率为120GHz的晶格匹配InP基HEMT[J].半导体学报,2005,26(3). |
| |
| 作者姓名： | 陈立强 张海英 尹军舰 钱鹤 牛洁斌 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| |
| 摘 要： | 报道了具有良好直流特性的晶格匹配InP基HEMT，器的跨导为600mS/mm，阈值电压为－1-2V，最大电流密度为500mA/mm，截止频率为120GHz.
|
| 关 键 词： | 截止频率 高电子迁移率场效应晶体管 InAlAs/InGaAs InP |
Lattice-Matched InP-Based HEMTs with fT of 120GHz |
| |
| Chen Liqiang,Zhang Haiying,Yin Junjian,Qian He,Niu Jiebin.Lattice-Matched InP-Based HEMTs with fT of 120GHz[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(3). |
| |
| Authors: | Chen Liqiang Zhang Haiying Yin Junjian Qian He Niu Jiebin |
| |
| Abstract: | Lattice-matched InP-based InAlAs/InGaAs HEMTs with 120GHz cutoff frequency are reported.These devices demonstrate excellent DC characteristics:the extrinsic transconductance of 600mS/mm,the threshold voltage of -1.2V,and the maximum current density of 500mA/mm. |
| |
| Keywords: | cutoff frequency high electron mobility transistors InAlAs/InGaAs InP |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
