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| GaAs (110)量子阱的电子自旋弛豫 | |
| 引用本文： | 刘林生,刘肃,王文新,赵宏鸣,刘宝利,高汉超,蒋中伟,王佳,黄庆安,陈弘,周均铭.GaAs (110)量子阱的电子自旋弛豫[J].半导体学报,2007,28(6). |
| 作者姓名： | 刘林生 刘肃 王文新 赵宏鸣 刘宝利 高汉超 蒋中伟 王佳 黄庆安 陈弘 周均铭 |
| 作者单位： | 1. 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000;中国科学院物理研究所凝聚态国家实验室,北京,100080;东南大学MEMS教育部重点实验室,南京,210096 2. 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000 3. 中国科学院物理研究所凝聚态国家实验室,北京,100080 4. 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000;东南大学MEMS教育部重点实验室,南京,210096 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，中国科学院知识创新工程项目，甘肃省自然科学基金 |
| 摘 要： | 采用固态源分子束外延的方法在GaAs(110)取向衬底上生长了GaAs/AlGaAs多量子阱结构.对样品进行了低温光致发光谱和时间分辨光致发光谱的测量,结果表明激发功率和激发波长对室温下量子阱内电子的自旋弛豫时间有强烈的影响.对于常见的GaAs(100)量子阱起支配作用的D'yakonov-Perel' (DP)自旋弛豫机制,在GaAs (110)量子阱材料里被充分地抑制了.对于缺失了DP相互作用的GaAs (110)多量子阱,电子-空穴相互作用对自旋弛豫时间随激发功率变化有重要的影响. |
| 关 键 词： | 电子自旋弛豫 多量子阱 分子束外延 |
Study of Electron Spin Relaxation Time in GaAs (110) Quantum Wells |
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| Liu Linsheng,Liu Su,Wang Wenxin,Zhao Hongming,Liu Baoli,Gao Hanchao,Jiang Zhongwei,Wang Jia,Huang Qing'an,Chen Hong,Zhou Junming.Study of Electron Spin Relaxation Time in GaAs (110) Quantum Wells[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(6). | |
| Authors: | Liu Linsheng Liu Su Wang Wenxin Zhao Hongming Liu Baoli Gao Hanchao Jiang Zhongwei Wang Jia Huang Qing'an Chen Hong Zhou Junming |
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