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基于0.25μm GaAs PHEMT工艺的32GHz毫米波单片功率放大器
引用本文:顾建忠,张健,喻筱静,钱蓉,李凌云,孙晓玮.基于0.25μm GaAs PHEMT工艺的32GHz毫米波单片功率放大器[J].半导体学报,2006,27(12).
作者姓名:顾建忠  张健  喻筱静  钱蓉  李凌云  孙晓玮
作者单位:1. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100049
2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050
摘    要:设计、制造和测试了基于0.25μm栅长GaAs工艺的32GHz毫米波单片功率放大器.该功率放大器采用三级放大,工作电压为6V,工作电流为600mA.带内最大小信号增益为17.4dB,在32GHz具有0.5W的饱和功率输出.

关 键 词:毫米波单片集成电路  功率放大器  赝配高电子迁移率晶体管

32GHz MMIC Power Amplifier Using 0.25μm GaAs PHEMT
Gu Jianzhong,Zhang Jian,Yu Xiaojing,Qian Rong,Li Lingyun,Sun Xiaowei.32GHz MMIC Power Amplifier Using 0.25μm GaAs PHEMT[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(12).
Authors:Gu Jianzhong  Zhang Jian  Yu Xiaojing  Qian Rong  Li Lingyun  Sun Xiaowei
Abstract:
Keywords:
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