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低功耗、高性能多米诺电路电荷自补偿技术
引用本文:汪金辉,宫娜,侯立刚,吴武臣,董利民.低功耗、高性能多米诺电路电荷自补偿技术[J].半导体学报,2008,29(7).
作者姓名:汪金辉  宫娜  侯立刚  吴武臣  董利民
作者单位:1. 北京工业大学集成电路与系统研究室,北京,100022
2. 河北大学电子信息工程学院,保定,071002
摘    要:提出了一种电荷自补偿技术来降低多米诺电路的功耗,并提高了电路的性能.采用电荷自补偿技术设计了具有不同下拉网络(PDN)和上拉网络(PUN)的多米诺电路,并分别基于65,45和32nm BSIM4 SPICE模型进行了HSPICE仿真.仿真结果表明,电荷自补偿技术在降低电路功耗的同时,提高了电路的性能.与常规多米诺电路技术相比,采用电路自补偿技术的电路的功耗延迟积(PDP)的改进率可达42.37%.此外,以45nm Zipper CMOS全加器为例重点介绍了功耗分布法,从而优化了自补偿路径,达到了功耗最小化的目的.最后,系统分析了补偿通路中晶体管宽长比,电路输入矢量等多方面因素对补偿通路的影响.

关 键 词:自补偿电荷通路  功耗延迟积  Zipper  CMOS全加器  多米诺电路

Charge Self-Compensation Technology Research for Low Power and High Performance Domino Circuits
Wang Jinhu,Gong Na,Hou Ligang,Wu Wuchen,Dong Limin.Charge Self-Compensation Technology Research for Low Power and High Performance Domino Circuits[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(7).
Authors:Wang Jinhu  Gong Na  Hou Ligang  Wu Wuchen  Dong Limin
Abstract:
Keywords:
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