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垂直腔面发射激光器的研究进展及其应用
引用本文:王莉,陈弘达,潘钟,黄永箴,吴荣汉.垂直腔面发射激光器的研究进展及其应用[J].飞通光电子技术,2001,1(3):127-132.
作者姓名:王莉  陈弘达  潘钟  黄永箴  吴荣汉
作者单位:中国科学院半导体研究所,北京100083
摘    要:垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有常规半导体激光器不可比拟的优点:其光束是园形的,易于实现与光纤的高效耦合;VCSEL的有源区尺寸可做得非常小,以获得高封装密度和低阈值电流;适宜的设计可将激光二极管制成简单的单片集成二维列阵,以实现二维光数据处理所用的激光源;芯片生长后无须解理、封装即可进行在片实验。由于VCSEL的优良性能,从而获得了国内外科技界、企业界的高度关注。本对这种器件的性能、开发现状及应用作简要的概述。

关 键 词:垂直腔面发射激光器  VCSEL  单片集成  封装密度  阈值电流  激光二极管  半导体激光器  有源  芯片  数据处理
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