垂直腔面发射激光器的研究进展及其应用 |
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引用本文: | 王莉,陈弘达,潘钟,黄永箴,吴荣汉.垂直腔面发射激光器的研究进展及其应用[J].飞通光电子技术,2001,1(3):127-132. |
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作者姓名: | 王莉 陈弘达 潘钟 黄永箴 吴荣汉 |
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作者单位: | 中国科学院半导体研究所,北京100083 |
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摘 要: | 垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有常规半导体激光器不可比拟的优点:其光束是园形的,易于实现与光纤的高效耦合;VCSEL的有源区尺寸可做得非常小,以获得高封装密度和低阈值电流;适宜的设计可将激光二极管制成简单的单片集成二维列阵,以实现二维光数据处理所用的激光源;芯片生长后无须解理、封装即可进行在片实验。由于VCSEL的优良性能,从而获得了国内外科技界、企业界的高度关注。本对这种器件的性能、开发现状及应用作简要的概述。
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关 键 词: | 垂直腔面发射激光器 VCSEL 单片集成 封装密度 阈值电流 激光二极管 半导体激光器 有源 芯片 数据处理 |
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