2～3微米MOS IC离子注入工艺转换

本文叙述了从西门子、东芝引进的2～3微米MOSIC生产线上，由于离子注入设备的不同，在工艺转换过程中由中方技术人员所解决的几个重要问题。1．用固体（磷、砷）源成功地替代了气体（磷烷、砷烷）源材料．并用国产固体磷替代进口固体磷、用中阻圆片替代高阻圆片顺利完成了注入机的调试和工艺验收。2．通过调整大束流注入机的“T”、“K”因子及中束流注入机的“MASK”面积因子，把注入机校正到符合西门子（2μm）工艺规范；建立了与东芝所用注入机的相关数据曲线。3．首次在MOSIC生产线上采用图片注入后方块电阻分布图形分析法，来判断大束流注入机电子淋浴器工作情况，控制静电破坏，将Z476测试图形成品率由50％提高到98．08％以上。从而保证了IC成品率。离子注入是这条引进MOSIC生产线唯一没有外方专家现场指导的工艺，所有工艺转换及技术改进全部由中方技术人员独立完成，为国家节约专家费5万美元以上。