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| MOS集成电路ESD保护技术研究 | |
| 引用本文： | 王颖.MOS集成电路ESD保护技术研究[J].微电子技术,2002,30(1):24-28. |
| 作者姓名： | 王颖 |
| 作者单位： | 东北微电子研究所,沈阳,110032 |
| 摘 要： | 重点论述了ESD失效模式失效机理和MOS集成电路ESD保护电路。 |
| 关 键 词： | MOS集成电路 ESD保扩技术 失效模式 失效机理 |
| 文章编号： | 1008-0147(2002)01-24-05 |
| 修稿时间： | 2001年8月10日 |
Study on the ESD Protection Technology of MOS IC |
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| WANG Ying.Study on the ESD Protection Technology of MOS IC[J].Microelectronic Technology,2002,30(1):24-28. | |
| Authors: | WANG Ying |
| Abstract: | The ESD failure modes,failure mechanism and ESD protection circuit are mainly reviewed in the paper. |
| Keywords: | Electrostatic discharge Failure mechanism ESD protection circuit Gate coupled technique Common discharge line |
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