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| 电可擦除IC的发展及关键技术（二） | |
| 作者姓名： | 于宗光 魏同立 |
| 作者单位： | [1]中国华晶电子集团公司中央研究所 [2]东南大学微电子中心 |
| 摘 要： | 三、闪烁存储器闪烁存储器是在1987年提出来的[11]，是EEPROM走向成熟和半导体生产技术发展到1μm以下以及对大容量电可擦除存储器要求的产物。本节首先介绍EEPROM的版图结构、电路（单元）结构及阵列结构；在分析了闪烁存储器市场之后，再对EEPROM和闪烁在储器的性能进行对比。1．闪烁存储器的特点闪烁存储器的版图结构类似EPROM[24][17]，如图12所示[17]。与BEPROM不同之处是它没有所谓的隧道孔。编程（给浮栅充电）机理是利用热电子注入，这一点与EPROM相同，而与EEPROM不同。图13给出了闪烁存储器单元的电路图，实际上… |
| 关 键 词： | 电可擦除IC 集成电路 EEPROM 闪烁存储器 |
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