|
|||||
|
|
| 腐蚀工艺中的颗粒问题 | |
| 引用本文： | 吴长明,熊淑平.腐蚀工艺中的颗粒问题[J].微电子技术,1996,24(4):39-42. |
| 作者姓名： | 吴长明 熊淑平 |
| 作者单位： | 中国华晶电子集团公司中央研究所二室!无锡，214035，中国华晶电子集团公司中央研究所二室!无锡，214035 |
| 摘 要： | 本文从氢氟酸腐蚀二氧化硅、湿法去胶、有机溶剂去胶、等离子反应室沾污等方面入手，探讨如何控制腐蚀工艺过程中的颗粒问题，以最优化的工艺条件减少或消除工艺中的颗粒和滞留在硅片表面的残余物，从而达到对于1μmCMOS工艺颗粒的控制要求。 |
| 关 键 词： | IC 腐蚀工艺 颗粒 氢氟酸 二氧化硅 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |