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光波干扰测量结深
引用本文:王传庆.光波干扰测量结深[J].微电子技术,2001,29(4):25-28,41.
作者姓名:王传庆
摘    要:在半导体芯片制造过程中,结深是重要的工艺参数之一。本文介绍用光波干涉法测量结深,操作简便、精度高,特别对10μm以下的结深测量,有其独到的优越性。

关 键 词:结深  光波干涉  干涉条纹  半导体  芯片制造
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