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| 1994年国际电子器件会议 | |
| 引用本文： | 李黎.1994年国际电子器件会议[J].微电子技术,1995(5). |
| 作者姓名： | 李黎 |
| 摘 要： | 1994年国际电子器件会议于12月11日在美国旧金山召开。会议上讨论了当今世界最先进的微电子器件技术。1．MOS晶体管制作工艺技术会议上发表了若干篇有关制作微细、高性能MOS晶体管技术论文。三菱公司的论文指出，既使在硅凝合离子注入制作浅结时，采用无泄漏COSi：法可制作条宽O．15Pm晶体管。松下公司的论文指出，采用倾斜离子注入形成的下方晕状（ha1o）掺杂法可制作条宽0．IPm晶体管。还指出，用skeV超低加速离子注入及RTA工艺制作0．02Pmn”结、004PmP”结，并使栅长为0．05qm的MOS晶体管工作。东芝公司的论文指出，迄今为止… |
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