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| 低温p—Si薄膜的制备研究 | |
| 引用本文： | 荆海,邱法斌,刘传珍,付国柱.低温p—Si薄膜的制备研究[J].世界电子元器件,2001(11):11-12. |
| 作者姓名： | 荆海 邱法斌 刘传珍 付国柱 |
| 作者单位： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;北方液晶工程研究开发中心 |
| 摘 要： | 引言 近年来,有源液晶显示技术在液晶显示产业和研究领域都独占鳌头。在有源液晶显示技术中,多晶硅薄膜因高迁移率展现出独特的优势,它的器件尺寸小,可以获得更高的开口率和分辨率;由于迁移率的提高可以将周边驱动集成于显示板内部,可以有效降低材料成本,同时LCD整体的重量和厚度将会大幅度的减少。 |
| 关 键 词： | 低温p－Si薄膜 多晶硅薄膜 金属诱导法 |
Research of Low Temperature Poly-Si Thin Film |
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