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基于SiGe BiCMOS 工艺的X 和Ka 波段T / R 多功能芯片设计
引用本文:刘超,唐海林,刘海涛,李强,熊永忠.基于SiGe BiCMOS 工艺的X 和Ka 波段T / R 多功能芯片设计[J].微波学报,2016,32(6):35-39.
作者姓名:刘超  唐海林  刘海涛  李强  熊永忠
作者单位:(1. 电子科技大学微电子与固体电子学院集成系统实验室,成都610054; 2. 中国工程物理研究院微系统与太赫兹中心集成电路研究室,成都611731)
摘    要:提出了应用0. 13 μm SiGe BiCMOS 工艺设计的全集成X 和Ka 波段T/ R 多功能芯片。包括5 位数控 移相器、低噪声放大器、功率放大器和收发控制开关都被集成在单片上。首次将分布式结构应用在多功能芯片的小 信号放大器设计中,而且将堆叠式结构的功放集成在收发芯片中,此两款多功能芯片均有着带宽宽、增益高、输出功 率大等优点。其中X 波段收发芯片接收、发射增益分别达到25 dB、22 dB,发射输出P(-1dB) 达到28 dBm;Ka 波段收发 芯片接收、发射增益分别达到17 dB、14 dB,发射输出P(-1 dB)达到20. 5 dBm。此两款应用硅基工艺设计的多功能芯片 指标均达到国际先进水平,为X 和Ka 波段相控阵系统的小型化和低成本化提供了良好的条件。

关 键 词:多功能芯片  T/  R  组件  相控阵  SiGe  BiCMOS  X  波段  Ka  波段

Design of X-Band and Ka-Band T / R Multifunctional Chips Based on SiGe BiCMOS Technology
LIU Chao,TANG Hai-lin,LIU Hai-tao,LI Qiang,XIONG Yong-zhong.Design of X-Band and Ka-Band T / R Multifunctional Chips Based on SiGe BiCMOS Technology[J].Journal of Microwaves,2016,32(6):35-39.
Authors:LIU Chao  TANG Hai-lin  LIU Hai-tao  LI Qiang  XIONG Yong-zhong
Affiliation:(1. Integrated System Lab, School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China; 2. Integrated Circuits Research Lab, Microsystem and Terahertz Research Center, China Academy of Engineering Physics, Chengdu 611731, China)
Abstract:
Keywords:multifunctional chips  T/ R module  phased array  SiGe BiCMOS  X-band  Ka-band
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