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GaAs MESFET开关模型
引用本文:陈新宇,陈继义,郝西萍,李拂晓,邵凯,杨乃彬.GaAs MESFET开关模型[J].微波学报,2002,18(2):85-87.
作者姓名:陈新宇  陈继义  郝西萍  李拂晓  邵凯  杨乃彬
作者单位:南京电子器件研究所,南京,210016
摘    要:本文提出了一种MESFET开关的模型———附加栅控开关模型 ,适用于MMIC电路的设计 ,其具有很好的宽带微波特性。开关单片的设计值与模型模拟值吻合较好。

关 键 词:开关  模型  金属半导体场效应晶体管  微波单片集成电路
文章编号:1005-6122(2002)02-0085-03
修稿时间:2002年1月21日

The Model of GaAs MESFET Switch
CHEN Xinyu,CHEN Jiyi,HAO Xipin,LI Fuxiao,SHAO Kai,YANG Naibin.The Model of GaAs MESFET Switch[J].Journal of Microwaves,2002,18(2):85-87.
Authors:CHEN Xinyu  CHEN Jiyi  HAO Xipin  LI Fuxiao  SHAO Kai  YANG Naibin
Abstract:
Keywords:Switch  Model  MESFET  MMIC
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