| 一种改进的微波MESFET模拟器 |
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| 引用本文： | 黄艺,沈楚玉.一种改进的微波MESFET模拟器[J].微波学报,1994,10(2):6-11. |
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| 作者姓名： | 黄艺 沈楚玉 |
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| 作者单位： | 东南大学毫米波国家重点实验室
(黄艺)，东南大学毫米波国家重点实验室(沈楚玉) |
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| 摘 要： | 本文介绍一种改进的基于器件物理参数的微波ＭＥＳＦＥＴ模拟器，它不仅可以模拟器件物理参数变化对ＭＥＳＦＥＴ特性（如等效电路元件、Ｓ参数、电流－电压特性）的影响，而且亦可以模拟ＭＥＳＦＥＴ特性随温度变化的情况。
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| 关 键 词： | 场效应管 模拟器 MESFET 微波频率 |
An Improved Microwave MESFET Simulator |
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| Huang Yi Shen Chuyu.An Improved Microwave MESFET Simulator[J].Journal of Microwaves,1994,10(2):6-11. |
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| Authors: | Huang Yi Shen Chuyu |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Millimeter Waves Southeast University |
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| Abstract: | In this paper, an improved physics - based microwave MESFET simulator is presented. It is capable of not only simulating the influence of physical parameter changes on MESFET performance (equivalent circuit element parameters, S parameters, current -voltage characteristic) , but also predicting MESFET characteristics in low temperature circumstances. |
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| Keywords: | field -effect transistor MESFET simulator MESFET physics-based model |
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