| 一种新的HEMT小信号模型参数提取方法 |
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| 引用本文： | 胡建萍,程海燕,陈显萼.一种新的HEMT小信号模型参数提取方法[J].微波学报,2003,19(3):39-42. |
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| 作者姓名： | 胡建萍 程海燕 陈显萼 |
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| 作者单位： | 杭州电子工业学院电子信息分院,杭州,310037 |
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| 基金项目： | “九五”电科院军事预研基金项目 (HD9670 6) |
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| 摘 要： | 介绍了一种高电子迁移率晶体管(HEMT)的小信号参数提取方法——综合多偏置点优化参数提取法。该文首先推导并提出了器件的模型、确定外部参数和内部参数，其次介绍了多偏置点优化算法。最后，以PHEMT器件为例进行鲁棒性和精确性测试，实验采用一系列随机起始值，结果表明，提取的参数值与经验值相差小于1％。
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| 关 键 词： | HEMT 高电子迁移率晶体管 小信号模型 参数提取 多偏置点优化算法 |
| 文章编号： | 1005-6122(2003)03-0039-04 |
| 修稿时间： | 2002年11月11 |
A New Parameter-extraction Method for HEMT's Small-signal Model |
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| Hu Jianping,Cheng Haiyan,Chen Xiane.A New Parameter-extraction Method for HEMT''s Small-signal Model[J].Journal of Microwaves,2003,19(3):39-42. |
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| Authors: | Hu Jianping Cheng Haiyan Chen Xiane |
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| Abstract: | A multibias optimizing parameter extraction technique for high electron mobility transistor (HEMT) small signal model is described. Firstly, HEMT's small signal equivalent circuit is introduced, determining intrinsic and extrinsic elements. Secondly, a multibias decomposition based optimization method is presented. Lastly, robustness and accuracy tests, with a different set of random initial values , are performed on measured S parameters of a PHEMT device. Results indicate that the extracted parameters typically vary by less than 1%. |
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| Keywords: | High electron mobility transistor(HEMT) Parameter extraction Small signal model |
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