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基于SiC 三代半导体技术的T/R 组件功率放大电路设计
引用本文:李吉浩.基于SiC 三代半导体技术的T/R 组件功率放大电路设计[J].微波学报,2010,26(Z1):564-567.
作者姓名:李吉浩
作者单位:天线与微波技术国防科技重点实验室,南京电子技术研究所,南京210039
摘    要:本文介绍了SiC宽禁带功率器件的特性及其在相控阵雷达中的应用情况,与Si功率器件相比,该器件在输出功率、功率密度、工作频率、工作带宽、环境适应性、抗辐射能力等方面有卓越的性能。并以SiC RF Power MESFET CRF24010在T/R组件功率放大电路上的应用为实例,详细介绍了SiC宽禁带功率放大电路的设计过程,包括直流偏置设计、稳定性设计、谐波阻抗优化设计、输出功率与效率的仿真,并对实际电路进行测试。本文可以为有源相控阵天线的设计提供工程应用上的参考。

关 键 词:宽禁带  碳化硅  T/R  组件  功率放大器

Design of T/R Module Power Amplifier Based on SiC Wide Bandgap Semiconductor
LI Ji-hao.Design of T/R Module Power Amplifier Based on SiC Wide Bandgap Semiconductor[J].Journal of Microwaves,2010,26(Z1):564-567.
Authors:LI Ji-hao
Affiliation:Nanjing Research institute of Electronics Technology, Nanjing 210039, China
Abstract:
Keywords:Wide Bandgap  SiC  T/R Module  Power Amplifier
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