| GaN 开关类功率放大器温度特性的研究 |
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| 引用本文： | 林倩,贾国庆.GaN 开关类功率放大器温度特性的研究[J].微波学报,2018,34(2):65-70. |
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| 作者姓名： | 林倩 贾国庆 |
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| 作者单位： | 青海民族大学物理与电子信息工程学院,西宁810007 |
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| 基金项目： | 青海省2017 年基础研究计划项目(2017-ZJ-753);教育部“春晖计划冶项目(Z2016071) |
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| 摘 要： | 为了研究GaN 开关类功率放大器(PA)的温度特性,通过开展一系列的温度测试来研究温度变化对 该GaN PA 各个性能参数的具体影响。测试结果表明:首先,较高的温度(>80℃)会使GaN HEMT 的电特性发生严重恶化,进而导致器件的性能和可靠性显著下降。其次,对于该开关类GaN PA 来说,随着温度的持续升高,其功率附加效率(PAE)显著降低,不能再保持高效率。而且,随着温度的突变和冲击次数的增加,电路出现显著的退化甚至失效。这些都说明了温度的变化对PA 的性能产生了很大的影响,开关类PA 对温度的变化非常敏感,而且温度冲击对其性能影响更为显著。这些研究为PA 的可靠性设计提供了重要指导。
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| 关 键 词： | 功率放大器 GaN HEMT 功率附加效率 温度特性 |
Study of the Temperature Character for the GaN Switch Mode Power Amplifier |
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| LIN Qian,JIA Guo-qing.Study of the Temperature Character for the GaN Switch Mode Power Amplifier[J].Journal of Microwaves,2018,34(2):65-70. |
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| Authors: | LIN Qian JIA Guo-qing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | power amplifier(PA) GaN high electron mobility transistor (HEMT) power added efficiency (PAE) temperature character |
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