| 硅衬底微波集成电路 |
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| 引用本文： | 毛军发.硅衬底微波集成电路[J].微波学报,2001,17(1):54-61. |
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| 作者姓名： | 毛军发 |
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| 作者单位： | 上海交通大学电子信息学院, |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(69971015)、国家杰出青年科学基金(60025103)资助项目。 |
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| 摘 要： | 硅衬底微波集成电路具有诱人的发展前景。本文阐述了硅材料用作微波集成电路衬底的优点，分析了硅衬底微波传输线、无源元件以及锗硅异质结双极晶体管（SiGeHBT)的电性能，介绍了目前国外硅衬底微波集成电路研究的进展，并对数字电路与RF及微波电路在硅衬底上混合集成的特点与应用作了讨论。
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| 关 键 词： | 硅衬底 微波集成电路 传输线 无源元件 锗硅异质结双极晶体管 |
| 修稿时间： | 2000年4月20日 |
Microwave Integrated Circuits on Silicon Substrates |
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| MAO Junfa.Microwave Integrated Circuits on Silicon Substrates[J].Journal of Microwaves,2001,17(1):54-61. |
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| Authors: | MAO Junfa |
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| Abstract: | The prospect of microwave integrated circuits(MIC) on silicon(Si) substrates is very attracting.In this paper the advantages of Si used as the substrate of MIC are reviewed.Electrical performance of microwave transmission lines and passive elements on Si,and of SiGe HBT are analyzed.The research progress of MIC on Si is briefly presented and some discussions are given for the uniqueness and application of integrating digital circuits with RF and microwave circuits on Si substrates. |
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| Keywords: | Silicon substrate Microwave IC Transmission line and passive element SiGe HBT |
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