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800MHz CMOS低噪声放大器的设计
引用本文:陈继新,洪伟,严蘋蘋,殷晓星,程峰.800MHz CMOS低噪声放大器的设计[J].微波学报,2005,21(Z1).
作者姓名:陈继新  洪伟  严蘋蘋  殷晓星  程峰
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划)
摘    要:本文采用0.25μm CMOS工艺,设计和研制了800MHz频段低噪声放大器.放大器采用共源共栅结构,芯片内部埋置了螺旋电感.放大器的增益为16.4dB、噪声系数小于1.3dB、工作电压2.5V时,功耗为35mW.测试结果达到了设计指标,一致性良好.

关 键 词:低噪声放大器  噪声系数  增益  1dB压缩点

Design and Implementation of 800MHz CMOS LNA
CHEN Ji-xin,HONG Wei,YAN Pin-pin,YIN Xiao-xin,CHENG Feng.Design and Implementation of 800MHz CMOS LNA[J].Journal of Microwaves,2005,21(Z1).
Authors:CHEN Ji-xin  HONG Wei  YAN Pin-pin  YIN Xiao-xin  CHENG Feng
Abstract:
Keywords:CMOS
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