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双极工艺下一款高共模输入电平迟滞比较器的电路设计
引用本文:侯晋昭,余清华,代杰.双极工艺下一款高共模输入电平迟滞比较器的电路设计[J].电子世界,2011(10):26-27,32.
作者姓名:侯晋昭  余清华  代杰
作者单位:电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;
摘    要:设计了一种基于双极工艺的迟滞比较器,具有高共模输入电平、低功耗和低成本的优点,通过设计可以方便的调整迟滞电压。迟滞比较器的上门限电压为7.4V,下门限电压为6.9V,迟滞电压为0.5V,功耗约为0.74mW。此外,还对迟滞比较器中两级运算放大器放的稳定性和频率补偿原理进行了介绍,并对对电路的稳定性进行了仿真测试,得到了约60度的相位裕度。

关 键 词:迟滞比较器  双极工艺  高共模输入电平  低功耗  频率稳定性
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