标准CMOS工艺集成肖特基二极管设计与实现

随着射频无线通讯事业的发展,高性能低成本的射频设计方案越来越受到人们的亲睐。肖特基势垒二极管在射频电路中是重要的元件组成,属于一种多数载流子器件,高频性能非常优越。本文主要介绍一种在标准CMOS工艺的基础上,提出的集成肖特基二极管设计方法,并且该方法在charted 0.35μm工艺中以MPW的方式得以实现。为了使串联电阻有效的降低,特别在肖特基版图中采用交织的方法。通过对实测所设计的肖特基二极管,以所测得的C-V、I-V及S参数对肖特基二极管的势垒电压、饱和电流及反向击穿电压继续拧计算,最后给出能够用于SPICE仿真的模型设计。