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| InAs/GaSb超晶格探测器台面工艺研究 | |
| 引用本文： | 姚官生,张利学,张向锋,张亮,张磊.InAs/GaSb超晶格探测器台面工艺研究[J].红外与激光工程,2015(3). |
| 作者姓名： | 姚官生 张利学 张向锋 张亮 张磊 |
| 作者单位： | 1. 中国空空导弹研究院，河南 洛阳 471009; 红外探测器技术航空科技重点实验室，河南 洛阳 471009 2. 中国空空导弹研究院，河南 洛阳 471009; 西北工业大学，陕西 西安 710072 3. 中国空空导弹研究院,河南 洛阳,471009 |
| 摘 要： | InAs/GaSb SLs探测器台面刻蚀常用的工艺有干法刻蚀和湿法刻蚀。研究了三种等离子刻蚀气体(Cl2基, Ar基和CH4基)对超晶格的刻蚀效果,SEM结果表明,CH4基组分能够得到更加平整的表面形貌和更少的腐蚀坑；之后采用湿法腐蚀工艺,用于消除干法刻蚀带来的刻蚀损伤,分别研究了酒石酸系和磷酸系两种腐蚀溶液的去损伤效果,结果表明,磷酸系腐蚀液的去损伤效果更好,且腐蚀速率更加稳定。采用优化的台面工艺制备了InAs/GaSb SLs探测器,其I- V特性曲线表明二极管具有较低的暗电流,其77 K时动态阻抗R0A =1.98×104Ωcm2。 |
| 关 键 词： | InAs/GaSb 超晶格 干法刻蚀 湿法腐蚀 台面 |
Mesa etching process for InAs/GaSb SLs grown by MBE |
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| Yao Guansheng,Zhang Lixue,Zhang Xiangfeng,Zhang Liang,Zhang Lei.Mesa etching process for InAs/GaSb SLs grown by MBE[J].Infrared and Laser Engineering,2015(3). | |
| Authors: | Yao Guansheng Zhang Lixue Zhang Xiangfeng Zhang Liang Zhang Lei |
| Abstract: | |
| Keywords: | InAs/GaSb super lattice dry etching wet etching mesa |
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