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深低温、低功耗、低噪声微型前置放大器
引用本文:袁红辉,王淦泉,陈永平,梁平治.深低温、低功耗、低噪声微型前置放大器[J].红外与激光工程,2006,35(4):432-436.
作者姓名:袁红辉  王淦泉  陈永平  梁平治
作者单位:中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083
摘    要:为了降低红外系统的噪声,提出了一种新的电路结构,利用单端折叠共源共栅结构和MOS管工作在线性区做反馈电阻,设计了一种在深低温(100K左右)工作的高性能低功耗、低噪声前置放大器。分析了其噪声特性,并提出了减少噪声的措施,仿真结果显示该前置放大器的输出电压噪声很小,3dB带宽大于10kHz。此前置放大器用1.2μm的标准CMOS工艺制造完成,四单元芯片的大小为2.1mm×2.9mm。经测试,这种前置放大器在深低温下能正常工作,反馈电阻大小为兆欧级,等效输入噪声电流仅0.03pA/Hz1/2,单元功耗小于1mW,与红外探测器连接后工作正常,线性度较好。

关 键 词:前置放大器  低温  低功耗  低噪声
文章编号:1007-2276(2006)04-0432-05
收稿时间:2005-10-03
修稿时间:2005-12-13

Low-power low-noise minitype preamplifier working at utmost lower temperature
YUAN Hong-hui,WANG Gan-quan,CHEN Yong-ping,LIANG Ping-zhi.Low-power low-noise minitype preamplifier working at utmost lower temperature[J].Infrared and Laser Engineering,2006,35(4):432-436.
Authors:YUAN Hong-hui  WANG Gan-quan  CHEN Yong-ping  LIANG Ping-zhi
Abstract:
Keywords:Preamplifier  Low temperature  Low-power  Low-noise
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