| InAs/GaSb Ⅱ型超晶格的拉曼和光致发光光谱 |
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| 作者姓名： | 郭杰 孙维国 彭震宇 周志强 徐应强 牛智川 |
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| 作者单位： | 西北工业大学材料学院,陕西西安710072;中国空空导弹研究院,河南洛阳471009;中国空空导弹研究院,河南洛阳,471009;中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 摘 要： | 采用分子束外延(MBE)技术,在GaSb(100)衬底上外延生长晶体结构完整和表面平整的Ⅱ型超晶格InAs(1.2 am)/GaSb(2.4 am).拉曼光谱表明:随着温度从70 K升高至室温,由于热膨胀作用和光声子散射过程中的衰减,超晶格纵光学声子拉曼频移向低波数方向移动5 cm-4,频移温度系数约为0.023 cm-1/K.光致发光(PL)峰在2.4～2.8 μm,由带间辐射复合和束缚激子复合构成,2.55 μm PL峰随温度变化(15～150 K)发生微小红移,超晶格中InAs电子带与GaSb空穴带带间距随温度变化比体材料的禁带宽度小.PL发光强度在15～50 K随温度升高而升高,在60～150 K则相反,并在不同温度段表现出不同的温度依赖关系.
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| 关 键 词： | 超晶格 InAs/GaSb 拉曼光谱 光致发光 温度 |
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