| GaAs基半导体激光器热特性 |
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| 引用本文： | 乔彦彬,冯士维,马骁宇,王晓薇,郭春生,邓海涛,张光沉.GaAs基半导体激光器热特性[J].红外与激光工程,2011,40(11):2134-2137. |
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| 作者姓名： | 乔彦彬 冯士维 马骁宇 王晓薇 郭春生 邓海涛 张光沉 |
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| 作者单位： | 1. 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100124
2. 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家863计划，北京市自然科学基金，教育部博士点基金 |
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| 摘 要： | 对GaAs基808nm半导体激光器进行恒流老化试验,并利用电学法观察退化过程中激光器有源区温度变化和热阻,发现有源区温度随老化时间明显上升,而热阻没有明显变化,同时测试了老化过程中激光器的电学和光学特性,经分析,激光器失效的主要原因是有源区载流子非辐射复合增加,引起激光器有源区温度上升,从而说明电学法热特性测试是检测激...
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| 关 键 词： | 电学法 热特性 半导体激光器 阈值电流 非辐射复合 |
Thermal characteristic of GaAs-based laser diodes |
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| Qiao Yanbin,Feng Shiwei,Ma Xiaoyu,Wang Xiaowei,Guo Chunsheng,Deng Haitao,Zhang Guangchen.Thermal characteristic of GaAs-based laser diodes[J].Infrared and Laser Engineering,2011,40(11):2134-2137. |
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| Authors: | Qiao Yanbin Feng Shiwei Ma Xiaoyu Wang Xiaowei Guo Chunsheng Deng Haitao Zhang Guangchen |
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