| 正、背照InGaAs探测器的性能对比研究 |
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| 引用本文： | 唐恒敬,吕衍秋,吴小利,张可锋,徐勤飞,李雪,龚海梅. 正、背照InGaAs探测器的性能对比研究[J]. 红外与激光工程, 2007, 36(Z1) |
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| 作者姓名： | 唐恒敬 吕衍秋 吴小利 张可锋 徐勤飞 李雪 龚海梅 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点资助项目 |
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| 摘 要： | 为了验证利用台面结制作背照射器件的可行性,利用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过台面制作、钝化、电极生长、背面抛光等工艺,制备了8元台面InGaAs探测器,并测试了正照射和背照射时,器件的I-V、信号和响应光谱.测试结果表明,正照射和背照射情况下,器件的响应信号差别不大,正照射下器件的平均峰值探测率为4.13×1011cmHz1/2W-1,背照射下器件的平均峰值探测率为4×1011cmHz1/2W-1,但背照射情况下器件的响应光谱在短波方向有更好的截止.
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| 关 键 词： | 探测器 InGaAs 探测率 钝化 |
Performance comparison of front-illuminated and back illuminated InGaAs detectors |
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| TANG Heng-jing,LV Yan-qiu,WU Xiao-li,ZHANG Ke-feng,XU Qin-fei,LI Xue,GONG Hai-mei. Performance comparison of front-illuminated and back illuminated InGaAs detectors[J]. Infrared and Laser Engineering, 2007, 36(Z1) |
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| Authors: | TANG Heng-jing LV Yan-qiu WU Xiao-li ZHANG Ke-feng XU Qin-fei LI Xue GONG Hai-mei |
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