| InGaAs短波红外探测器 |
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| 引用本文： | 潘建旋,以善珍,周航宇.InGaAs短波红外探测器[J].红外与激光工程,2007,36(Z1). |
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| 作者姓名： | 潘建旋 以善珍 周航宇 |
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| 摘 要： | 与InP衬底晶格常数相匹配的In0.53Ga0.47As材料能够制作出高质量的光电探测器,可工作在室温或热电制冷条件下,光响应谱范围为0.92～1.7μm,具有高达80%以上的量子效率.通过对InGaAs探测器芯片平面和平台式结构的分析,以及InGaAs芯片和HgCdTe芯片的性能测试、比较,充分证明了InGaAs材料芯片的优越性及研制在室温下工作的高性能InGaAs探测器的可行性.对InGaAs芯片相对光谱特性的测试表明,InGaAs材料温度响应重复性较好.
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| 关 键 词： | 短波红外 InGaAs 探测器 室温 |
InGaAs shortwave infrared detector |
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| PAN Jian-xuan,YI Shanzhen,ZHOU Hang-yu.InGaAs shortwave infrared detector[J].Infrared and Laser Engineering,2007,36(Z1). |
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| Authors: | PAN Jian-xuan YI Shanzhen ZHOU Hang-yu |
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