| 平面型铟镓砷线列探测器的制备及伏安特性研究 |
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| 引用本文： | 吴小利,唐恒敬,张可峰,黄翌敏,韩冰,李雪,龚海梅.平面型铟镓砷线列探测器的制备及伏安特性研究[J].红外与激光工程,2007,36(Z1). |
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| 作者姓名： | 吴小利 唐恒敬 张可峰 黄翌敏 韩冰 李雪 龚海梅 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重点项目 |
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| 摘 要： | 通过闭管锌扩散制备了256元平面型铟镓砷(In0.53Ga0.47As)线列探测器,室温下焦平面平均峰值探测率为5.79×1011cmHz1/2W-1,不均匀性为31%,平均峰值响应率为0.33 A/W.并且通过拟合其伏安曲线得到了器件的理想因子和串联电阻,基于这两个相互独立的参数可以对器件不同区域的性质加以考查,结果表明器件材料具有较好的均匀性,而器件的欧姆接触电阻偏大,且不均匀性达到39%,为工艺的改进提供了重要依据.
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| 关 键 词： | 铟镓砷 线列探测器 伏安曲线 拟合 |
Voltage-current characteristics of planar In0.53Ga0.47As linear photodetector array |
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